LABORATORIO DE ELECTRONICA  II



Atendida por:
Mtro. José Manuel González Rojas 

PRACTICA # 8

AMPLIFICADOR  DE

CONFIGURACIÓN EN  COMPUERTA COMÚN PEQUEÑA SEÑAL

Objetivo:

Para esta practica, se analizara la ultima   configuración posible con el transistor de efecto de campo, que es la configuración de compuerta (gate) común. En esta, al igual que las demás practicas nos basaremos en las curvas características del FET para la posible polarización del amplificador, que será en divisor de tensión. Se pretende hacer los cálculos y después comprobar los resultados medidos con los encontrados con la teoría y poder dar una explicación entre las diferencias o similitudes.

 

   Material:

-          Osciloscopio

-          1 2N5457

-          Generador de funciones

-          Resistencias y capacitores

 

   Desarrollo:

El amplificador que se hará con el transistor será de  clase A en configuración de Gate   Común, este amplificador se caracteriza por tener una impedancia de entrada relativamente baja ( comparada con la impedancia de entrada en las otras configuraciones con el fet) es por eso que en nuestra practica la señal se logra atenuar al momento de conectarla al amplificador (como sucede con base común, pero en menor proporción). La impedancia de salida se parece en su orden a la del fuente, esta en el orden de unos cuantos KΩ. La otra similitud que tiene esta configuración con la de la fuente es que su ganancia de voltaje es pequeña, pero en este caso no desfasa la señal de salida respecto a la de entrada. Por ultimo falta decir que   tiene gran ganancia de corriente, pero esta no se puede medir, como ya lo explicamos en la practica pasada (fuente común).

Las condiciones para la correcta polarización, se tomaron de las curvas y se enumeran a continuación.

 

 

Cálculo de Resistencias y Capacitores de Acoplo y Desacoplo

 

 

 

 

 

 

Transconductancia calculada:

 

donde:

 

 

 

 

 

 

Cálculo de Capacitores: 

 

donde: 

FC se estableció en 10 KHz y:

 

 

 

 

 

 Los elementos necesarios para armar el amplificador son:

 

 


 

R1 = 1.33MW

R2 = 4MW

RD = 2.131KW

RS = 2.787KW

RL = 2.2KW

Ci = 3.59mF

Co = 0.37mF

CG = 1.6nF

 Como señal de entrada se aplicó una onda senoidal de 80mV de amplitud pico a pico a una frecuencia de 10KHz. A la salida se observó una señal de 165mVPP de la misma frecuencia, por lo que la ganancia de voltaje medida es de:

 

 

Los valores medidos en el amplificador fueron los siguientes:

 

VDD = 12.09V

VDSQ = 5.95V

VGSQ = -0.393 V.

VGG = 2.75 V

IDSQ = 1.26 mA

Zi = 400W

Zo = 2.2KW

 

Como se puede ver la diferencia entre los cálculos y los valores medidos son producto de la variación de los componentes pasivos del circuito. También  se menciona que la señal de 80 mV es la señal al vació, es decir sin ser conectada al amplificador, ya después de este paso, la señal se atenuaba como un 17%.

 Se tomaron valores también para la respuesta en frecuencia del amplificador y los datos obtenidos fueron:

 

F (Hz)

VL (mV)

dB

100

102

10.06

500

160

6.15

1K

165

5.89

5K

165

5.89

10K

165

5.89

50K

165

5.89

100K

165

5.89

500K

150

6.72

1M

120

8.65

2M

75

12.74

 

                       VL(max) = 325mV

 

Conclusiones:

             Esta ultima practica con transistores en configuración simple es la que nos enseño que el gate común es muy similar al fuente salvo las diferencias ya antes mencionadas. De ahora en adelante vamos a implementar las características de cada uno de los amplificadores con FET y BJT, para lograr hacer amplificadores que tiene como principio el arreglo de vario transistores. Así, dependiendo de cómo queramos que trabaje el amplificador, sera la combinación de transistores que usaremos.

 Abajo se muestran las curvas características de nuestro FET.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


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